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Christian Bödeker - Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter-bauelementen

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Christian Bödeker

Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter-bauelementen

Series: Elektrotechnik

Volume 419 2019

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Zusammenfassung S. 138-140

„… Halbleitergehäusen legen die Vorteile der mit einem Kelvin‐Source‐Anschluss ausgestatteten Gehäuse hinsichtlich einer Erhöhung der Schaltgeschwindigkeiten und Verminderung der …”

Grundlagen der Siliziumkarbid-Bauelemente S. 3-20

„… ] [BöAK18b]. Es ist inzwischen eine Vielzahl von diskreten Halbleitergehäusen …” „… ‐ gen schaltenergiemindernd und ist somit unkritisch. Die Komponenten LD und LS der Streuin‐ duktivität Lσ,konz lassen sich bei Halbleitermodulen oder diskreten Halbleitergehäusen …”

Titelei/Inhaltsverzeichnis S. I-XIV

„… Verhalten – Halbleitergehäuse – Kelvin- Source-Anschluss – Kurzschlussverhalten – Überspannungsschutz Die …”

doi.org/10.51202/9783186419217

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