Erhöhung der Elektromigrationsrobustheit in der Verdrahtung digitaler Schaltungen

Zusammenfassung

Studien zur zukünftigen IC-Entwicklung sagen einvernehmlich voraus, dass die Zuverlässigkeit zukünftiger integrierter Schaltungen (ICs) stark durch das Auftreten von Elektromigration (EM) gefährdet ist. Ursache ist die anhaltende Strukturverkleinerung im IC, welche nicht nur zur Erhö- hung der EM-Gefahr, sondern auch zur gleichzeitigen Abnahme der EM-Grenzwerte führt. Digitale Schaltungen sind auch gefährdet, da sie bisher bei der EM-Berücksichtigung vernachlässigt wurden, sodass geeignete Gegenmaßnahmen fehlen. Aus diesem Grund muss ein Paradigmenwechsel im Layoutentwurf vollzogen werden, welcher das traditionell nach der Layouterstellung stattfndende Verifzieren der EM-Robustheit durch einen proaktiven EM-robusten Layoutentwurf ersetzt. Ziel dieser Arbeit ist es, die dafür notwendigen Neuentwicklungen in der Verdrahtung digitaler Schaltungen vorzustellen. Das umfasst den Aufbau eines EM-Modells,

ein daraus Ableiten von EM-Maßnahmen und ein Berücksichtigen dieser Gegenma