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Georg Tanzmeister - Grid-based Environment Estimation for Local Autonomous Vehicle Navigation

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Georg Tanzmeister

Grid-based Environment Estimation for Local Autonomous Vehicle Navigation

Series: Mess-, Steuerungs- und Regelungstechnik

Volume 1246 2016

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Bibliography S. 137-154

„… Robotik, Technische Universität München, 2012. [73] A. Hupka, “Entwicklung einer situationsbeeinflussten …”

doi.org/10.51202/9783186246080

Thorsten Lajewski - Friction Potential Estimation for Autonomous Driving

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Thorsten Lajewski

Friction Potential Estimation for Autonomous Driving

Series: Verkehrstechnik/Fahrzeugtechnik

Volume 816 2022

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Bibliography S. 155-174

„… .; HOFKO, B.; SPIELHOFER, R. Prognose der Griffigkeit von Fahrbahno-berflächen - Entwicklung eines …”

doi.org/10.51202/9783186816122

GJAE - German Journal of Agricultural Economics

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GJAE - German Journal of Agricultural Economics

Browse Volumes: GJAE - German Journal of Agricultural Economics

GJAE Volume 72 (2023) Issue 01 ISSN Online: 2191-4028

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Verena Otter, Maximilian Deutsch Das Verhalten landwirtschaftlicher Entscheider*innen bei der Adoption nachhaltiger Prozessinnovationen in Deutschland / The Behavior of Agricultural Decision-Makers towards the Adoption of Sustainable Process Innovations in Germany S. 1-19

„… ‚Einstellung‘ durch die Entwicklung weiterer Items auf Basis der in dieser Studie einbezogenen drei …” „… .): Komple-xe Dynamiken globaler und lokaler Entwicklungen. Verhandlungen des 39. Kongresses der Deutschen …”

Janina Knuck An Analysis of Success Factors for German Farmstead Dairies S. 20-33

„… Agrarökonomie und Rurale Entwicklung (DARE), Göttingen. WINKELMANN, T. (2004): Erfolgsfaktoren in der …”

doi.org/10.51202/2191-4028-2023-01

Christian Bödeker - Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter-bauelementen

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Christian Bödeker

Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter-bauelementen

Series: Elektrotechnik

Volume 419 2019

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Grundlagen der Siliziumkarbid-Bauelemente S. 3-20

„… ihre Entwicklung von SiC‐MOSFETs mit einer planaren Gate‐Struktur (Bild 2.17) begonnen haben, beziehungsweise diese auch weiterhin produzieren (beispiels …”

doi.org/10.51202/9783186419217