Suche einschränken

Ergebnisse (1)

Sortierung:

Alle Alles auswählen

Seite 1

Christian Bödeker - Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter-bauelementen

Teilzugriff

Auswählen

Christian Bödeker

Extrinsische und intrinsische Beeinflussungen des Verhaltens von Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter-bauelementen

Reihe: Elektrotechnik

Band 419 2019

Treffer in den folgenden Teilen:

Zusammenfassung S. 138-140

„… Halbleitergehäusen legen die Vorteile der mit einem Kelvin‐Source‐Anschluss ausgestatteten Gehäuse hinsichtlich einer Erhöhung der Schaltgeschwindigkeiten und Verminderung der …”

Grundlagen der Siliziumkarbid-Bauelemente S. 3-20

„… ] [BöAK18b]. Es ist inzwischen eine Vielzahl von diskreten Halbleitergehäusen …” „… ‐ gen schaltenergiemindernd und ist somit unkritisch. Die Komponenten LD und LS der Streuin‐ duktivität Lσ,konz lassen sich bei Halbleitermodulen oder diskreten Halbleitergehäusen …”

Titelei/Inhaltsverzeichnis S. I-XIV

„… Verhalten – Halbleitergehäuse – Kelvin- Source-Anschluss – Kurzschlussverhalten – Überspannungsschutz Die …”

doi.org/10.51202/9783186419217

1