Elektromigration und deren Berücksichtigung beim zukünftigen Layoutentwurf digitaler Schaltungen
Zusammenfassung
Elektromigration ist momentan einer der begrenzenden Effekte für die Verkleinerung von Strukturgrößen in der Mikroelektronik. Dies begründet sich durch steigende Stromdichten bei sinkenden Leiterquerschnitten. Dadurch sinkt die Zuverlässigkeit der Leitbahnen. Diese Arbeit untersucht Methoden zur Verhinderung von Elektromigrationsschäden im Verdrahtungsentwurf digitaler Schaltkreise mit Strukturgrößen von weniger als 20 nm. Ziel ist es, neue Entwurfsregeln und Strategien für robuste Schaltkreise zu entwickeln. Erstmals steht der Entwurf digitaler Schaltkreise unter Berücksichtigung von Nanotechniken im Mittelpunkt. Es wird gezeigt, dass auch bei weiterer Verkleinerung der Verdrahtungsstrukturen elektromigrationsrobuste Schaltungen möglich sind. Die vorliegende Arbeit wendet sich vorrangig an Ingenieure und Wissenschaftler auf dem Gebiet der Entwurfsautomatisierung.
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Schlagworte
Elektromigration Entwurfsautomatisierung Finite-Elemente-Methode Entwurfsregeln Verdrahtung Stromdichte Blech-Länge CNT Semiconductor Roadmap- Kapitel Ausklappen | EinklappenSeiten
- 1–6 1 Einleitung 1–6
- 7–35 2 Grundlagen 7–35
- 132–133 Glossar 132–133
- 134–150 Literaturverzeichnis 134–150
