Zusammenfassung
Der Entwurf analoger integrierter Schaltungen ist in der Ingenieurspraxis eine komplexe und äußerst herausfordernde Aufgabe. Unzählige Details müssen Entwicklungsingenieure bei den erforderlichen Entwurfsschritten berücksichtigen. Durch vielfältige Rückwirkungen und oft unvollständige Spezifikationen sind Iterationen dabei unumgänglich. Gerade bei modernen Technologien mit immer kleineren Strukturbreiten steigen die Rückwirkungen enorm an und so wird die Erfüllung der Spezifikation eine zunehmende Herausforderung in technischer und ökonomischer Hinsicht. Neue Halbleitertechnologien erfordern zudem häufige Aktualisierungen der vom Hersteller per PDK gelieferten Technologiedaten, wodurch es zu
weiteren Entwurfsiterationen kommt. Der noch immer vorwiegend manuelle Analogentwurf wird unter diesen Bedingungen immer aufwendiger und teurer.
Im Rahmen der vorliegenden Arbeit sind daher Methoden entwickelt worden, die es ermöglichen, prozedurale und parametrisierbare Abläufe zur Layouterstellung (und damit prozedurale Generatoren) durch Mittel der Abstraktion auch in kleinen Technologieknoten zu verwenden. Die so realisierte Automatisierung des Layouts beschleunig...
Schlagworte
Entwurfsautomatisierung EDA Layout Analog Integrierte Schaltungen IC-Entwurf Generatoren Templates Designflow Platzierung Design automation layout analog integrated circuits IC design generators templates design flow placement- 1–8 1 Einleitung 1–8
- 156–166 Anhänge 156–166
- 167–180 Literaturverzeichnis 167–180
2 Treffer gefunden
- „... Engl. Electrical Rule Check, Test zur Prüfung auf elektrische Fehler. ESD Engl. Electrostatic Discharge ...” „... , Oxidstruktur für die laterale elektrische Isolation integrierter Bauelemente (s. auch STI). G Gate-Anschluss ...” „... Transistor, auf der MOS-Struktur basierender Aufbau von Feldeffekt-Transistoren. NW Anschluss der n-dotierten ...”
- „... einzuhalten. Da diese Füll-Muster jedoch das elektrische Verhalten beeinflussen und teils nicht alle Regeln ...” „... Verfahren bezwecken die elektrische Isolation integrierter Bauelemente. Jedoch unterscheiden sie sich im ...” „... automatisch das-selbe Potenzial an. Solche elektrischen Randbedingungen, aber auch die Geometrie von Sym-bol ...”